حافظه‌های فلش فعلی متشکل از مجموعه‌ای از ترانزیستورها هستند که با تعلق صفر یا یک به بیت‌های آنها به‌کار گرفته می‌شوند. بلوک‌های حافظه‌های فلش یا به صورت دوبعدی (planar NAND) یا با کارآیی بیشتر و به صورت سه‌بعدی (3D NAND) نصب شده و مورد استفاده قرار می‌گیرند. برای افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی اطلاعات در هر یک از این دو نوع حافظه‌های فلش باید بتوان بلوک‌های موجود را به بخش‌های بیشتری تقسیم کرد تا توان ظرفیت داده در آنها بیشتر شود. تا به حال تولید حافظه فلش با ظرفیت دو و سه بیت برای ذخیره‌سازی اطلاعات ممکن شده است. این نوع حافظه‌ها MLC و TLC نام گرفته‌اند. تولید حافظه‌های QLC یک گام دیگر به پیش در این زمینه محسوب می‌شود. در این روش هر سلول حافظه به ۱۶ سطح با چهار لایه تقسیم می‌شود و در نهایت می‌توان ۴ بیت اطلاعات را در هر سلول ذخیره کرد. حفظ اطلاعات با ثبات، دقت و پایداری لازم در این روش ذخیره‌سازی به شدت فشرده کار دشواری است و تحقق این هدف کار ساده‌ای نبوده است. توشیبا می‌گوید با استفاده از روش جدید می‌توان ۷۶۸گیگابایت اطلاعات را در فضایی که فعلا برای ذخیره‌سازی ۵۱۲ گیگابایت اطلاعات به‌کار می‌رود، ذخیره کرد. همچنین از این طریق راه تولید حافظه‌های چند ده ترابایتی ارزان‌قیمت نیز هموار می‌شود. هنوز زمان عرضه انبوه و تجاری این تراشه‌ها به بازار اعلام نشده است.